Numer produktu producenta:
TSM4N80CZ C0G
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM4N80CZ C0G-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 38.7W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12949863
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM4N80CZ C0G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
955 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
38.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
TSM4N80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM4N80CZ C0G-DG
TSM4N80CZC0G
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
SIHFPS43N50K-GE3
MOSFET N-CH 500V SUPER-247
FCPF600N65S3R0L-F154
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
